Si PIN детекторы имеют разрешение в диапазоне 165 – 220 эВ. В то время как для SDD детекторов ПШПВ < 150 эВ. Стоит отметить, разрешение детектора во многом зависит от соответствующих настроек импульсного процессора детектора.
Компонента детектора определяется статистикой процесса образования заряда в объеме диода. Среднее число электронно-дырочных пар, производимое падающим фотоном, может быть посчитано как полная энергия фотона, разделенная на среднюю энергию необходимую для образования одной электронно-дырочной пары. Если флуктуации в этом процессе регулируются статистикой Пуассона, то стандартное отклонение может быть посчитано, как
В полупроводниковых устройствах, детали процесса потери энергии таковы, что индивидуальные события не являются строго независимыми и отклоняются от статистики Пуассона. Это отклонение от статистики, может быть учтено при помощи фактора Фано
Принимая:
получим:
